Los futuros Samsung Galaxy S tendrán memorias tres veces más rápidas [FOTOS]
Samsung comienza la fabricación de su próxima generación de memorias para móviles.
Samsung es una de las compañías de hardware más importante del mundo. A parte de producir smartphones, también se dedica a fabricar partes de estos, como las pantallas y procesadores. Sin embargo, también le da importancia a los discos duros o memorias móviles.
Precisamente, Samsung ya tiene en producción nuevos chips. Se trata del reciente estándar de memoria UFS 3.1, una actualización menor sobre UFS 3.0 que vimos en una selección de adelantados de 2019 y en prácticamente todos los terminales de gama alta de 2020.
PUEDES VER: Samsung presenta al Galaxy A11, su nuevo móvil económico potenciado con triple cámara trasera [FOTOS]
Las memorias Universal Flash Storage en su versión 3.1 presentaban modestas novedades en rendimiento, que aterrizaban principalmente en forma de algunos ajustes más que notables en cuanto a su velocidad de escritura. Sin embargo, en este formato de 512 GB de capacidad que Samsung ya ha llevado a la fabricación, los coreanos reportan una mejora en la velocidad de escritura que triplica lo visto en la generación anterior.
Asimismo, Samsung anuncia una evolución en la lectura de información que sí afecta a la lectura aleatoria, donde la velocidad sostenida es menos relevante. En estos escenarios, en los que se accede a una cantidad muy pequeña de información, pero muchas veces por segundo, la fabricante surcoreana presenta hasta un 60 % de incremento en el número de lecturas por segundo.
Según Samsung, los nuevos discos duros de 512 GB UFS están ya en camino, a pesar encontrarnos en el momento en que el mundo se enfrenta a una pandemia. La firma coreana no ha perdido el tiempo y lo más probable es que veamos este hardware en los próximos Galaxy S.
