Samsung anuncia su almacenamiento UFS 4.0, una memoria rápida y eficiente para celulares 5G
La más reciente novedad de Samsung será de gran utilidad para aplicaciones de realidad aumentada y virtual. Conoce aquí sus especificaciones.
Luego del paso del UFS 3.1 llega UFS 4.0 y nuevamente Samsung se va a posicionar como el pionero en la nueva generación del estándar de almacenamiento. La compañía anuncia que ya tiene lista la primera solución de almacenamiento UFS 4.0 de alto rendimiento. Sin embargo, la producción en masa de esta clase de memorias tardará un poco en estar disponible.
El estándar UFS 4.0 ofrece una velocidad de lectura mucho mayor, siendo fundamental para seguir el ritmo de la conectividad 5G y en apps que requieren de gran flujo de datos, como la realidad aumentada.
Cada dos años, aproximadamente, el estándar de almacenamiento UFS avanza una versión que da un salto de velocidad. La última versión fue UFS 3.0, en 2018, que incrementó considerablemente el ancho de banda por canal hasta los 1.450 MB/s (2,900 MB/s en total) y se renovó luego con el UFS 3.1.
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Ahora, Samsung presenta el UFS 4.0, que llega con la JEDEC, la asociación de memorias de estado sólido. Se detalla que hay un salto de velocidad con un ancho de banda por canal de 23,2 Gbps (2.875 MB/s), el doble de rápido que las memorias UFS 3.1.
El ancho de banda unido al controlador V-NAND de séptima generación de Samsung permite que el chip de memoria alcance una velocidad de lectura secuencial de hasta 4.200 MB/s y de escritura de hasta 2.800 MB/s.
Esta velocidad será útil en los smartphones 5G y cualquier aplicación que consuma un gran flujo de datos, incluyendo programas de realidad aumentada, realidad virtual y apps automotrices.
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La memoria se optimiza con una mejora en la eficiencia energética, siendo un 46% más eficiente que la generación previa y mantiene un diseño reducido (11 x 13 x 1 mm). Samsung comenzará la producción masiva en el tercer trimestre del año.
